仪器名称：离子减薄仪

规格/型号：徕卡EM RES102

生产厂商：德国徕卡

放置地点：厦门校区泛华科技大楼B211

负责人：施雅芳，郭小华；电话：0592-6161595，邮箱：iac@hqu.edu.cn

一、主要应用 ：

    透射电镜TEM样品离子减薄，扫描电镜SEM样品大面积平面离子抛光，扫描电镜SEM样品离子刻蚀，扫描电镜SEM样品截面切割，聚焦离子束FIB样品去除非晶损伤层，全马达控制的双离子枪和样品台。

二、性能指标：

1.离子枪：2套；

2.离子束能量：0.8 KeV～10 KeV；

3.相对位置：±45°倾斜；

4.样品台倾斜角度：-120°～210°；

5.离子束加工角度：0°～90°；

6.样品平面摆动角度：﹤360°；

7.垂直摆动距离：±5 mm；

8.SEM样品台可容纳最大样品尺寸：直径25 mm，高12 mm；

9.样品台：TEM样品台，FIB样品清洗台，SEM样品台，斜坡切割样品台（对样品35°或90°斜坡切割）；

三、测试要求:

1. TEM 样品:

单面或双面离子束研磨适用于材料的离子束减薄过程，鞍形场离子源可获得很大的电子束透明薄区。

程序化控制的离子入射角度变化，适用于完成特殊的样品制备目的，例如FIB样品清洁，以减少无定形非晶层。

2. SEM 或 LM 样品

离子束清洁适用于对样品表面污染层或机械抛光后表面产生的涂抹层进行清洁。

样品表面衬度增强作用，可替代化学刻蚀作用。

35°斜坡切割用于制备多层样品的截面。90°斜坡切割用于制备复合结构的半导体样品或组装器件，这种方式所需的机械预加工工作最少。

3. 禁止减薄有腐蚀性的样品，易挥发及强磁性样品，样品要干净，厚度尽可能的薄（40微米以内）。